Suurepinnaliste perovskite fotogalvaaniliste moodulite valmistamine

Hiljuti kasutas Jinani ülikooli uue energiatehnoloogia instituudi professor Mai Yaohua odavat nanosekundilist laserit, et valmistada suure pindalaga perovskite fotogalvaanilisi mooduleid, mille efektiivsus on üle 21 protsendi. Uurimustöö avaldati ajakirjas Advanced Energy Materials.

Ajendatuna süsinikdioksiidi tipptaseme ja süsinikuneutraalsuse strateegiast, on uued perovskiidist fotogalvaanilised moodulid jõudmas industrialiseerimise ajastusse. Väikese pindalaga elementide tõhususe kadumise ületamine suure pindalaga moodulitele on peamine tehniline probleem, mis tuleb industrialiseerimisprotsessis lahendada. Siiani pole tööstus olnud kindel, kas kõrge efektiivsusega perovskiit-fotogalvaaniliste moodulite valmistamiseks on vaja kalleid pikosekundi- või femtosekundilasereid.

Selleks kasutas Mai Yaohua meeskond suure jõudlusega perovskite fotogalvaaniliste moodulite valmistamiseks odavat nanosekundilist laserit. Uuringud on näidanud, et perovskiitmaterjalide väikese termilise difusiooni tõttu ei tekita nanosekundilised laserid suurt kuumusest mõjutatud tsooni ja võivad saavutada kuni 95,5 protsendi geomeetrilisi täitefaktoreid. Pärast parameetrite optimeerimist võib perovskite fotogalvaaniliste moodulite ava ala efektiivsus ulatuda 21,07 protsendini ja täitmistegur ületab 80 protsenti. Ülaltoodud tulemused on sertifitseeritud riikliku fotogalvaanilise tööstuse metroloogia- ja testimiskeskuse poolt.

Uurimistulemused annavad juhiseid suure pindalaga perovskite fotogalvaaniliste moodulite efektiivsuskadude vähendamiseks, vähendades samal ajal seadmetesse investeerimist ja tootmiskulusid, millel on suur tähtsus perovskiitelementide industrialiseerimise edendamisel.

Uurimistulemused annavad juhiseid suure pindalaga perovskiit-fotogalvaaniliste moodulite efektiivsuskadude vähendamiseks, vähendades samal ajal seadmetesse investeerimist ja tootmiskulusid, millel on suur tähtsus perovskiitelementide industrialiseerimise edendamisel.